以4种白籽南瓜和‘甜宝’甜瓜为嫁接试材,对嫁接苗和自根苗进行15℃/5℃（昼/夜）连续4 d低温处理,测定了4种砧木嫁接苗和自根苗光合与叶绿素荧光特性的变化。结果表明,低温胁迫下嫁接苗和自根苗叶片的净光合速率（ P_n）、蒸腾速率（T_r）均逐步降低;除‘甜砧’嫁接苗的气孔导度（G_s）在胁迫4 d略有回升外,其他嫁接苗和自根苗的G_s逐步降低;除‘青研1号’嫁接苗的胞间CO₂浓度（C_i）在胁迫期间无显著变化外,其他嫁接苗的C_i逐步降低,而自根苗的C_i在胁迫1 d略有下降后逐步上升;除‘甜砧’嫁接苗的瞬时水分利用效率（WUE）在胁迫3 d略有回升外,其他嫁接苗和自根苗的WUE均逐步下降。嫁接苗和自根苗叶片的最大荧光（F_m）、最大光化学效率（F_v/F_m）、量子产额(Φ_PSⅡ)、光化学猝灭系数（q_P）逐步降低,初始荧光（F_o）则逐步上升;除‘青研1号’嫁接苗的非光化学猝灭系数（q_N）在胁迫1 d小幅下降外,其他嫁接苗的q_N逐步上升,而自根苗的q_N在胁迫1 d大幅上升后逐步下降。其中,‘甜砧’嫁接苗胁迫后的 P_n、T_r、G_s、WUE、F_v/F_m、Φ_PSⅡ等参数均为最高,可见‘甜砧’嫁接苗光合机构损伤较小,值得在甜瓜耐低温生产中推广应用。