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在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上,用脉冲激光沉积工艺制备出了高度a轴取向生长的(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BsT)薄膜。薄膜为柱状生长的纳米晶粒,平均晶粒尺寸为50nm。在外加电场254kV/cm时,BST薄膜的相对介电常数与介电调谐率为810和76.3%。高的介电调谐率主要是BST薄膜具有高度a轴取向的柱状生长晶粒,因为来自沿平面c轴极化而产生的内部应力,在电场作用下,获得了高介电调谐率。