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在Pt（111）／Ti／SiO2／Si（100）衬底上，用脉冲激光沉积工艺制备出了高度a轴取向生长的（Ba0.65Sr0．35）TiO3（BsT）薄膜。薄膜为柱状生长的纳米晶粒，平均晶粒尺寸为50nm。在外加电场254kV／cm时，BST薄膜的相对介电常数与介电调谐率为810和76．3％。高的介电调谐率主要是BST薄膜具有高度a轴取向的柱状生长晶粒，因为来自沿平面c轴极化而产生的内部应力，在电场作用下，获得了高介电调谐率。