【摘 要】
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据日本 NEC 光电研究窒报导,他们采用汽相外延生长方法和 Be~+离子注入保护环结构,实现了平面结构的 InP/InGaAsP/InGaAs 雪崩光电二极管。在1.3μm 和1.3Gbit/s 条件下进行
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据日本 NEC 光电研究窒报导,他们采用汽相外延生长方法和 Be~+离子注入保护环结构,实现了平面结构的 InP/InGaAsP/InGaAs 雪崩光电二极管。在1.3μm 和1.3Gbit/s 条件下进行了灵敏度的测量。在10~(-0)误码率的情况下所需的最小平均接收功率为-31.3dBm,此值比
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