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具有薄n基区和低掺杂场截止层新结构的非穿通绝缘栅双极型晶体管NPTIGBT明显降低了总损耗，特别是场截止概念与挖槽晶体管单元的结合能产生通态电压最小、开关损耗最低、载流子浓度近乎理想的器件．这种概念在600V～6．5kV以上的IGBT和二极管中得到了发展。当折衷性能和总耐量与电压和电流额定值无关时，低压器件的开关特性与高压晶体管（KBr〉2kV）的处理方法不同。采用HE．EMCON二极管和高达1700V的新型场截止NPTIGBT，几乎不受开关性能的限制，不过，需考虑的是外部栅极电阻必须取确定值、相比低压晶