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通过对常压MOCVD工艺下制备的GaN／Al2O3两种样品的X射线衍射分析，利用不同的掠入射角及倾斜ω扫描，精确测量了GaN薄膜的晶体结构和位错密度，据此提出了一种表征薄膜纵向位错密度的新方法。结果表明实验制备的GaN薄膜具有相当一致的c轴取向，对称衍射（002）面ω扫描半峰宽分别为229．8arcsec、225．7arcsec；同时，根据倾斜对称ω扫描半峰宽分析认为样品A、B的位错密度分别约为4．0801×10^8／cm^2，5．8724×10^8／cm^2，其样品A的位错密度小于样