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利用KOH溶液腐蚀结合SF6气体干法刻蚀工艺制备了锆钛酸铅（PbZr0.3Ti0.7O3，PZT）厚膜热释电红外探测器，得到了器件Si基背面完全悬空的微桥绝热结构。使用由斩波器调制的黑体辐射，测试了探测器在低频段的电压响应率、噪声等效功率和探测率等参数。结果表明，探测器在调制频率为5.3 Hz时的电压响应率约为4.5×10^2 V/W；在调制频率为167.3 Hz时，其探测率达7.5×10^8 cm·Hz1/2/W；PZT厚膜探测器的热时间常数为51 ms，与PZT陶瓷器件相