【摘 要】
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提出了一种具有低导通压降同时具有低漏电流的碳化硅650V肖特基二极管结构,基于半导体仿真软件Silvaco,验证了其正反向的器件性能,并与目前国际最新的商业化产品进行对比。使
【基金项目】
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上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1600227)
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提出了一种具有低导通压降同时具有低漏电流的碳化硅650V肖特基二极管结构,基于半导体仿真软件Silvaco,验证了其正反向的器件性能,并与目前国际最新的商业化产品进行对比。使用更低势垒高度的钼(Mo)金属作为肖特基势垒金属,显著降低器件的开启阈值电压,利用碳化硅等离子干法刻蚀技术形成深沟槽,在此基础上离子注入形成的深P+结,可以在反向阻断时较好的屏蔽肖特基金属表面的电场强度,从而降低器件的反向漏电流。双外延的引入则大大降低了P+结之间的沟道电阻,提升器件整体导通性能。
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