28nm到14nm工艺代沟,全耗尽硅技术如何弥补

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今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程,不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山—这一点从28 nm巨大产量与20 nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出,整个半导体产业的发展方向正在转向全耗尽晶体管架构。然而,如果FinFET和其他全耗尽多栅架构只能从14 nm开始供货的话,在这之前我们又应当怎样应对呢?早在数年之前,Soitec及其合作伙伴就在开展紧 Today's semiconductor industry is experiencing a number of challenging transitions, but it also presents a great opportunity for Soitec to create added value for the market and its customers. With the downturn of the traditional CMOS technology - from 28nm huge yield and the attractiveness of the 20nm specification and cost can be seen, the entire semiconductor industry is moving toward fully depleted transistor architecture. However, what should we do before FinFETs and other fully-depleted multi-gate architectures are available starting at 14 nm? So many years ago, Soitec and its partners were working closely
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