【摘 要】
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在12K的温度下,测量了水热法生长的K2YF5∶Tm3+单晶的发射和吸收光谱,分析了高掺杂样品中Tm3+离子间的交叉弛豫行为。用最小二乘法对实验能级进行拟合计算,得到了较好的均方
【机 构】
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中国科学技术大学结构分析重点实验室,中国科学技术大学物理系,中国科学技术大学物理系,Lebedev Physical Institute,Kurnakov Institute of General a
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在12K的温度下,测量了水热法生长的K2YF5∶Tm3+单晶的发射和吸收光谱,分析了高掺杂样品中Tm3+离子间的交叉弛豫行为。用最小二乘法对实验能级进行拟合计算,得到了较好的均方差:18cm-1。此外,文中还给出了K2YF5∶Tm3+共振激发下1D2和1G4能级寿命的测量结果,并分析和讨论了掺杂量对能级寿命的影响。
The emission and absorption spectra of K2YF5: Tm3 + single crystals grown by hydrothermal method were measured at a temperature of 12K and the cross-relaxation behavior of Tm3 + ions in the highly doped samples was analyzed. The least squares method was used to fit the experiment level, and the better mean square error was obtained: 18cm-1. In addition, the measurement results of 1D2 and 1G4 energy levels at K2YF5: Tm3 + resonance excitation are also given, and the effect of doping on energy level lifetime is analyzed and discussed.
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