【摘 要】
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采用等离子体增强MOCVD方法生长出高质量的ZnO薄膜,并观察到了ZnO薄膜的光抽运紫外激射现象.在不同激发强度下进行了光荧光谱测量,发现紫外发光强度随着激发光强度的增加呈直
【机 构】
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吉林大学,集成光电子学国家重点实验室
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金
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采用等离子体增强MOCVD方法生长出高质量的ZnO薄膜,并观察到了ZnO薄膜的光抽运紫外激射现象.在不同激发强度下进行了光荧光谱测量,发现紫外发光强度随着激发光强度的增加呈直线增强,证明此紫外发光峰来源于带边自由激子辐射复合.激发的激光器为3倍频YAG激光器,脉宽15 ps,每秒10个脉冲.抽运光达到样品的光斑直径约为25μm,激射阈值为0.28 μJ,利用光纤连接到CCD来探测接收激射光.在385～390 nm之间的激射峰,其半峰全宽为O.03nm.所观察到的激射没有固定的方向,也就是说是往各个方向发射
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