【摘 要】
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合成了在超分辨率近场结构(Super-RENS)存储方式中适合做掩膜层和记录层材料的两种全氟二芳烯,旋涂法制备了实验存储盘片,并进行了近场存储实验.初步的实验表明,光致变色二芳
【机 构】
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清华大学化学系有机光电子与分子工程教育部重点实验室,清华大学化学系有机光电子与分子工程教育部重点实验室,清华大学化学系有机光电子与分子工程教育部重点实验室,清华大学化学系有机光电子与分子工程教育部重点
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合成了在超分辨率近场结构(Super-RENS)存储方式中适合做掩膜层和记录层材料的两种全氟二芳烯,旋涂法制备了实验存储盘片,并进行了近场存储实验.初步的实验表明,光致变色二芳烯掩膜层可以缩小聚焦激光的直径,得到小尺寸记录信息.掩膜层中二芳烯的浓度,对近场存储结果影响很大,存在一个最佳浓度使记录光斑的尺寸减少到最小.
Two kinds of perfluorinated diarylenes which are suitable as masking layer and recording layer materials in super-resolution near-field structure (Super-RENS) storage were synthesized. The experimental storage disks were prepared by spin-coating, and the near-field Storage experiments.The preliminary experiments show that the photochromic diarylide mask layer can reduce the diameter of the focused laser beam to obtain the small size recording information.The concentration of diarylide in the mask layer has a great influence on the near field storage result, An optimum concentration minimizes the size of the recording spot.
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