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用一种新的方法——双重加热法制备了直径在50～6 0nm范围内的SiC超细粉，用化学分析方法、X射线衍射、透射电子显微镜等手段对 SiC超细粉进行了表征。研究结果表明，用双重加热法制备SiC超细粉的最佳温度为1 350℃，恒温时间为60min，SiC超细粉的产率可达98％(质量分数)左右。
碳化硅超细粉的制备新法
【摘 要】
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用一种新的方法——双重加热法制备了直径在50～6 0nm范围内的SiC超细粉，用化学分析方法、X射线衍射、透射电子显微镜等手段对 SiC超细粉进行了表征。研究结果表明，用双重加热法
【机 构】
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青岛化工学院电镜室,沈阳工业学院
【出 处】
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中国粉体技术
【发表日期】
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2001年1期
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