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用原子力显微镜(AFM)研究了P型高阻Cd0.8Zn0.2Te晶体表面状况对接触电学特性的影响,研究了三种金属和AuCl3作为接触层材料的电学特性和接触机理。研究表明采用化学方法沉积AuCl3膜能在CdZnTe光滑表面形成一层重掺杂层,较金属更易获得欧姆接触,热处理可改善接触的欧姆性,增强接触层与晶体表面的结合力。