基底温度对Ag—MgF2金属陶瓷薄膜内应力的影响

来源 :复合材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hefei666_y

【摘要】

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用电子薄膜应力分布测试仪测量了基底温度对Ag-MgF2金属陶瓷薄膜内应力的影响.结果表明:基底温度在300℃～400℃范围内,φ20.4 mm选区内的薄膜平均应力最小,应力分布比较均匀

【作者】

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李爱侠孙大明孙兆奇宋学萍赵宗彦

【机构】

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安徽大学

【出处】

：

复合材料学报

【发表日期】

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2004年2期

【关键词】

：

Ag—MgF2金属陶瓷薄膜应力基底温度微结构 Film preparationMagnesium compoundsMicrostructureOptic

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用电子薄膜应力分布测试仪测量了基底温度对Ag-MgF2金属陶瓷薄膜内应力的影响.结果表明:基底温度在300℃～400℃范围内,φ20.4 mm选区内的薄膜平均应力最小,应力分布比较均匀,应力为张应力.XRD分析表明:当基底温度在300℃～400℃范围内,Ag-MgF2薄膜中的Ag和MgF2组分的晶格常数接近块体值,说明通过改变基底温度可以降低薄膜内应力.

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