电子束蒸发a—Si1—xCrx薄膜的ESR研究

来源 :兰州大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zjm2190

【摘要】

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本文报导对电子束蒸发的 a-Si_(1-x)Cr_x 薄膜的 ESR 研完结果.实验结果表明,随掺 Cr 组分 X 的变化,薄膜的各个 ESR 特性参数都发生变化:(2.0034±0.0001)≤g≤(2.0052&

【作者】

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甘润今陈光华张津燕张仿清

【机构】

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兰州大学物理学系,兰州大学物理学系兰州730000,兰州730000,兰州730000

【出处】

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兰州大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

1993年2期

【关键词】

：

电子自旋共振硅薄膜电子束蒸发法 ESRnon-crystalline semicondcntortransition metaldangling bond

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本文报导对电子束蒸发的 a-Si_(1-x)Cr_x 薄膜的 ESR 研完结果.实验结果表明,随掺 Cr 组分 X 的变化,薄膜的各个 ESR 特性参数都发生变化:(2.0034±0.0001)≤g≤(2.0052±0.0001).线型因子1为(2.14±0.01)≤1≤(3.57±0.01),峰峰宽△Bpp 为(6.20±0.05)G≤△Bpp≤(8.70±0.05)G.基于这些实验结果,我们采用 S.E.Barnes 的 ESR 动力理论对结

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