【摘 要】
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荧光成像系统的技术指标、采集的荧光图像信噪比和单分子定位算法是影响单分子定位精度的3大因素.在介绍单分子定位的基本极限精度和理论计算精度的基础上,提出了一种被称为
【机 构】
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天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室,奥地利林茨大学实验物理研究所原子与表面科学系
【基金项目】
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中国-奥地利国际合作项目（WTZ-VII.VB.18 2008DFA71610）, 国家自然科学基金资助项目（50675152）, 高等学校学科创新引智计划111项目（B07014）
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荧光成像系统的技术指标、采集的荧光图像信噪比和单分子定位算法是影响单分子定位精度的3大因素.在介绍单分子定位的基本极限精度和理论计算精度的基础上,提出了一种被称为图像去噪高斯掩膜算法的单分子定位算法.依据实验用单分子成像系统的具体配置,通过计算机仿真表明,该算法良好的去噪处理和高斯加权质心运算方式,不仅能实现纳米级的定位精度,而且能突破一般理论计算精度的限制,接近基本极限精度,特别是在背景噪声较大的情况下,其优势更加明显.这对单分子的精确定位和跟踪、扩散方式分析、转移速率计算等具有重要的意义.
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