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采用真空热蒸发法在玻璃衬底上制备Sn2S3薄膜。研究不同Sn和S配比及热处理条件对薄膜的结构及光学特性的影响。结果显示:采用Sn:S为1:1.2(at%)混合粉末制备出的薄膜,在T=430℃,t=40min氮气保护热处理后,可得到结构良好的n型Sn2S3纳米多晶薄膜。薄膜表面致密较平整,颗粒分布均匀,平均晶粒尺寸为60.37nm。Sn2S3薄膜的直接光学带隙约为2.0eV。