论文部分内容阅读
采用热丝CVD法制备的大面积金刚石薄膜存在基片变形严重的问题，通过对热丝CVD设备和沉积工艺进行改进，成功解决了直径76mm、厚度0．4mm硅片的变形问题。结果表明：改进后金刚石薄膜基片的翘曲度为0．296%，比改进前的降低了88．9％；改进后金刚石薄膜的质量及晶粒大小均匀，膜厚不均匀度仅为1．53％，具有优异的大面积均习性。