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用慢正电子束流作为探针,测量了不同温度下用分子束外延生长的硅薄膜的正电子湮没S 参数,讨论了外延层质量与生长温度及膜层厚度的关系,所得结论为对于几百纳米厚的分子束外延生长层,500℃左右是一个比较合适的生长温度范围.温度过低,膜中将会含有大量的空位型缺陷;温度太高,杂质在材料中会有明显的扩散行为,对产品性能产生较大的影响.