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RFMD（www.rfmd.com）公司近日宣布,他们已成功利用公司现有标准6英寸半导体设备生产出集成GaAs（砷化镓）和InGaP（磷化铟镓）的双结光伏单元（dual-junction PV cells）。双结光伏单元的成功研制保证了未来三结结构（triple-junction structures）的发展,其最终目的是开发一种商业上可行的和具有高量产能力的高性能复合半导体太阳能电池。