Mg掺与GaN晶格匹配的InAlN特性研究

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【摘要】

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采用蓝宝石图形衬底技术在金属有机物化学气相淀积（MOCVD）系统中制备了Mg掺杂的与GaN晶格匹配的InAlN。通过改变Al源、Mg源的掺杂量和退火温度，研究其对p-InAlN的载流子浓度和晶

【作者】

：

尹以安刘力章勇郑树文段胜凯

【机构】

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华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东省光电功能材料与器件工程技术研究中心

【出处】

：

电子元件与材料

【发表日期】

：

2015年8期

【关键词】

：

INALN 蓝宝石图形衬底 MOCVD Mg掺杂InAlN 晶格匹配退火温度 IuAlN patterned sapphire substrate MOCVD

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采用蓝宝石图形衬底技术在金属有机物化学气相淀积（MOCVD）系统中制备了Mg掺杂的与GaN晶格匹配的InAlN。通过改变Al源、Mg源的掺杂量和退火温度，研究其对p-InAlN的载流子浓度和晶体质量的影响。实验发现当Al源的流量为2.34μmol/min时，获得与GaN晶格匹配的In0.18Al0.82N，此结果下的样品晶体质量最高。同时发现随着Mg掺杂量的增加会使螺位错密度急剧上升，Mg的掺杂对于刃位错有显著影响。综合退火温度对空穴浓度影响，当Mg源的掺杂量为0.248μmol/min，且退火温度为55

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