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在正统单电子理论的基础上，使用主方程方法，对金属隧道结组成的单电子晶体管进行了I-Vg和I-Va特性曲线的数值模拟。在单电子晶体管中，电子能否隧穿通过势垒，主要是由电子隧穿引起的系统自由能的变化而决定的。文中从自由能量出发对器件特性进行分析，从而得到电容、电阻以及电压等参数对库仑台阶及电导振荡的影响。当两个结电阻不同时，能够看到明显的库仑台阶现象。具有较大结电阻的隧穿结，电容也较大时可以完善库仑台阶，优化单电子晶体管的曲线。