【摘 要】
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由于单层二碲化钼具有与硅类似的能带隙和很高的室温理论迁移率,受到广泛关注。但是体材料二碲化钼原子层之间的相互作用力很大,机械剥离方法得到单层二碲化钼薄膜比较困难。
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由于单层二碲化钼具有与硅类似的能带隙和很高的室温理论迁移率,受到广泛关注。但是体材料二碲化钼原子层之间的相互作用力很大,机械剥离方法得到单层二碲化钼薄膜比较困难。本文介绍一种在常压下,通过改进反应装置,控制反应源浓度,利用化学气相沉积法在单温区高温管式炉中制备二维二碲化钼的简单方法,并利用光学显微镜、拉曼光谱、X射线光电子能谱、原子力显微镜对制备的二碲化钼薄膜的成膜质量进行表征分析,证明得到了结晶较好的单层和少层的1T’相的MoTe2薄膜。
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