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针对功率VDMOS器件在实际应用中的电磁干扰（EMI）问题，对国内两家公司两款高压VDMOS产品进行应用于LED驱动电源模块的整机EMI测试以及VDMOS样管的动态特性测试，提出了功率VDMOS的EMI噪声优化方案。分析结果表明：适当增大VDMOS的寄生栅电阻Rg，增大VDMOS的输入电容Ciss和米勒电容Cgd可改善VDMOS器件EMI性能，但这会增加VDMOS器件的开关损耗。因此，在器件设计时需根据实际应用折中考虑。