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采用超冷技术的液相外延方法在 n-型GaAs 衬底上生长了高质量掺 Te 的 Al<sub>0.7</sub>Ga<sub>0.3</sub>As/掺 Mg 的 ln<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>P 单异质结发光二极管。详细地介绍了未掺杂及 Mg 和Zn 掺杂的 ln<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>P 层的