GaN HEMT高效功率放大器电路温度特性研究

来源 :南开大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:hurusato09
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研究了GaN HEMT开关功率放大器的交流电流和微波性能随温度的变化.研究结果表明,GaN HEMT的高温退化将导致开关功放工作电流及小信号增益(S_(21))随温度升高逐渐下降,其中GaN HEMT的电压与电容特性的温度变化和膝点电压的高温退化将影响开关功放输出阻抗匹配.在120℃时,开关功放大信号状态下的交流电流退化更明显;同时由于高温退化所导致的阻抗失配,功放的S_(21)增益和输出功率会进一步下降. The change of AC current and microwave performance with temperature of GaN HEMT switching power amplifier is studied.The results show that the high temperature degradation of GaN HEMT will cause the operating current and the small signal gain (S 21) of the switching power amplifier to decrease gradually with increasing temperature, Among them, the temperature change of voltage and capacitance of GaN HEMT and the high temperature degeneration of knee voltage will affect the output impedance matching of switching power amplifier.At 120 ℃, the AC current degeneration under switching amplifier large signal is more obvious; meanwhile, due to the degradation of high temperature, Impedance mismatch, amplifier S_ (21) gain and output power will decline further.
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