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外延生长了InGaAsP/GaInP/AiGaInP无铝有源区808nm激光器材料,制作了标准准连续(QCW)单奈器件。结果表明,器件工作波长为808nm,腔面未镀膜时,其阈值电流密度为286A/cm^2,斜率效率为1.2W/A,内损耗为2.1cm^-1,内量子效率为0.87。镀膜后,阈值电流密度为300A/cm^2,180A时的输出功率为180W,斜率效率大于1.15W/A。在载体温度为60℃时,准连续工作3×10^8个脉冲后,功率下降小于5%。