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Ti 的行为基于在在高温度下面的氧的 Si (111 )(700 ℃， 800 ℃， 900 ℃， 1 000 ℃和 1 100 ℃) 被报导。X 光检查衍射(XRD ) 和 Fourier 红外线分光镜(FTIR ) 被用来分析在氧环境在不同温度退火的样品的结构和作文。提起温度对 TiSi_2 和 TiO_2 的形成有用，这被发现并且对到 Sisubstrate 的 Ti 的散开有用。