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用射频磁控溅射方法制备出厚度大约15—225nm的Ti02薄膜。Raman光谱测量显示，Ti02薄膜主要是金红石结构(含少量板钛矿相)。紫外可见光吸收光谱表明，在纳米厚度(100nm)范围内，Ti02薄膜的带隙宽度随着薄膜厚度的变化而变化。室温下测量Ti02薄膜的电阻率发现，随着厚度的增加Ti02薄膜的电阻率先后在导体、半导体和绝缘体范围变化。