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为进一步研究半导体纳米材料的物理特性,用真空沉积的方法在SiO2基片上制备了纳米InSb颗粒膜.用原子力显微镜扫描样品表面的分析显示,纳米InSb颗粒均匀地分布在SiO2基片表面.实验结果表明通过改变镀膜时间,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒.
InSb纳米颗粒的制备与原子力显微镜
【摘 要】
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为进一步研究半导体纳米材料的物理特性,用真空沉积的方法在SiO2基片上制备了纳米InSb颗粒膜.用原子力显微镜扫描样品表面的分析显示,纳米InSb颗粒均匀地分布在SiO2基片表面.
【机 构】
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国防科技大学理学院
【出 处】
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国防科技大学学报
【发表日期】
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2004年2期
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