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设计了一种基于0．18μmCMOS工艺的高响应度雪崩光电二极管（APD）。该APD采用标准0．18μmCMOS工艺，设计了两个P＋／N阱型pn节，形成两个雪崩区以产生雪崩倍增电流。雪崩区两侧使用STI（浅沟道隔离）结构形成保护环，有效地抑制了APD的边缘击穿；并且新增加一个深N阱结构，使载流子在扩散到衬底之前被大量吸收，屏蔽了衬底吸收载流子产生的噪声，用以提高器件的响应度。通过理论分析，确定本文所设计的CMOS—APD器件光窗口面积为10μm×10μm，并得到了器件其他的结构和工艺参数。仿真结果