功率循环测试被称为考核功率器件封装可靠性最重要的实验，尤其是SiC MOSFET功率器件的快速发展，是近几年的研究热点。与其他可靠性测试不同的是，功率循环测试原理虽然简单，但测试技术、测试方法和数据处理却涉及到半导体物理、电磁学、传热学、结构力学和信号分析等多学科交叉，处理不当将得到错误的结论。本文基于功率循环测试基本原理，从测试技术、测试方法和数据处理三个大方面对其存在的挑战进行深入分析，并提出相应的解决方案。测试技术主要包括电气测量噪声、结温测量延时和数据采集点，电气测量噪声和测量延时影响功率循环测试中结温的准确性，数据采集点则是影响器件的失效模式判定和寿命。测试方法主要包括结温测试方法、电流激励方法和宽禁带器件SiC MOSFET的相关测试方法，其中电流激励方法会影响器件的失效机理和寿命，需要特别关注。数据处理部分则是从可靠性数理统计角度出发，探究了测试样本数量和对测试结果的修正，以得到准确的测试结果。本文可以为功率循环测试技术和设备的发展奠定理论和方法基础，为功率循环测试和数据分析提供指导。