【摘 要】
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采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性.该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法.第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金
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采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性.该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法.第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高度15nm,量子点密度为6.3×1010/cm2.随着层数的增加,量子点的尺寸也逐渐增大.在样品的PL谱测试中,观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性--超长红移现象.它们的光学特性表明:采用钝化低温法生长的纳米结构中存在零维量子限制效应.
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