【摘 要】
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运用热丝CVD技术在单晶硅片上沉积金刚石膜,金刚石微晶将优先在基片表面缺陷处生长。经研磨粗糙的硅基材表面上金刚石的晶粒密度,要比未经任何处理的光滑硅表面上的大得多。
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运用热丝CVD技术在单晶硅片上沉积金刚石膜,金刚石微晶将优先在基片表面缺陷处生长。经研磨粗糙的硅基材表面上金刚石的晶粒密度,要比未经任何处理的光滑硅表面上的大得多。利用扫描电镜、电镜能谱、超高压透射电镜、电子衍射等分析技术检测样品,在金刚石膜/硅界面处检测到了微晶碳化硅。本文认为,CVD金刚石在硅基材上的成核,取决于金刚石与硅基片材料间形成化学键的难度,能成键才能成核。
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