论文部分内容阅读
采用非平衡磁控溅射技术，通过改变氮气和氩气分压比P（N2）／P（Ar），在钛合金（Ti6Al4V）表面制备出不同结构及性能的氮化硅薄膜。结果显示，制备的氮化硅薄膜为非晶态结构，随着氮气分压的增加，Si—N键的含量增加，其对应的红外吸收峰逐渐变宽，并向高波数偏移。氮化硅薄膜的显微硬度、耐磨性随着P（N2）／P（Ar）的增加而先增加，当P（N2）／P（Ar）为0．25时，随着P（N2）／P（Ar）的增加，薄膜硬度及耐磨性稍有降低。氮化硅薄膜具有较好的膜／基结合力，当增大氮气和氩气分压比，薄膜的脆性随之增加。