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采用S.I.GaAs衬底上MBE生长的两层结构外延材料制作了IMSM-PD并与采用离子注入材料制作的IMSM-PD的特性进行了比较,结果表明采用MBE材料的器件特性较优,在5V偏置电压下暗电流小于1nA。已将IMSM-PD与MESFET放大电路进行了单片集成构成光接收器。
GaAs IMSM光电探测器及其与FET的单片集成研究
【摘 要】
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采用S.I.GaAs衬底上MBE生长的两层结构外延材料制作了IMSM-PD并与采用离子注入材料制作的IMSM-PD的特性进行了比较,结果表明采用MBE材料的器件特性较优,在5V偏置电压下暗电流
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所
【出 处】
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高速摄影与光子学
【发表日期】
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1990年2期
【基金项目】
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(八六三)计划资助项目
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