双层多晶FLOTOX E^2PROM的阈值电压退化特性

来源 :华南理工大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：metasearch

【摘要】

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基于FLOTOX E2PROM结构,分析了影响FLOTOX E2PROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口退化、电荷保持特性退化及与时间有关的隧道氧化层击穿(TDDB)等,发现FLOTOX的可靠性与隧穿

【作者】

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罗宏伟恩云飞杨银堂朱樟明解斌王金延

【机构】

：

西安电子科技大学,信息产业部,北京大学

【出处】

：

华南理工大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2004年8期

【关键词】

：

FLOTOX E^2PROM 阈值电压陷阱电荷可靠性 FLOTOX E2PROM threshold voltage trap charge r eliab

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基于FLOTOX E2PROM结构,分析了影响FLOTOX E2PROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口退化、电荷保持特性退化及与时间有关的隧道氧化层击穿(TDDB)等,发现FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.实验表明,擦/写电压应力周期、脉冲电压应力大小及脉冲宽度的变化都会影响FLOTOX E2PROM阈值电压的变化,分析认为隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOX E2PROM阈值电压退化的主要原因,隧道氧化层中的陷阱电荷通过影响注入电场使阈值电压增加或减少.

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