高边缘击穿和扩展光谱的圆形单光子雪崩二极管

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lulubukule

【摘要】

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介绍了一种0. 18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的新型宽光谱荧光相关谱探测器,其为高边缘击穿、扩展光谱和低暗计数率的圆形单光子雪崩二极管(SPAD).该器件由p+/deep n-

【作者】

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金湘亮曾朵朵彭亚男杨红姣蒲华燕彭艳罗均

【机构】

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湘潭大学物理与光电工程学院,湖南师范大学物理与电子科学学院,上海大学机电工程与自动化学院

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2019年4期

【关键词】

：

单光子雪崩二极管(SPAD) 边缘击穿暗计数率光谱扩展 single-photon avalanche diode(SPAD)premature edge

【基金项目】

：

Supported by National Natural Science Foundation of China (61774129, 61827812, 61704145),Changsha Science and Technology Project(kq1801035).

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介绍了一种0. 18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的新型宽光谱荧光相关谱探测器,其为高边缘击穿、扩展光谱和低暗计数率的圆形单光子雪崩二极管(SPAD).该器件由p+/deep n-well结,p-well保护环和多晶硅保护环组成.通过Silvaco TCAD 3D器件仿真,直径为10μm的圆形p+/deep n-well SPAD器件具有较高边缘击穿特性.此外,p+/deep n-well结SPAD比p+/n-well结SPAD具有更长的波长响应和扩展光谱响应范围.该器件在0. 5 V过量偏压下

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