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氧压对用PLD法生长氧化锌薄膜的电学特性的影响
氧压对用PLD法生长氧化锌薄膜的电学特性的影响
来源 :中国材料科技与设备 | 被引量 : 0次 | 上传用户:danble
【摘 要】
:
本文研究了用脉冲激光沉积(PLD)法制备ZnO薄膜,给出了在不同氧压下生长氧化锌(ZnO)薄膜的XRD谱、表面的AFM图以及电阻率、迁移率、载流子浓度以及导电类型等电学特性,为探索制备P型
【作 者】
:
吴木生
叶志清
邓海东
欧阳桂仓
刘木林
【机 构】
:
江西师范大学理电学院,华南农业大学理学院
【出 处】
:
中国材料科技与设备
【发表日期】
:
2007年4期
【关键词】
:
氧化锌薄膜
脉冲激光沉积
电阻率
氧压
ZnO thin films
Pulsed laser deposition(PLD)
Resistivity
【基金项目】
:
江西省自然科学基金资助项目(0512016)
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本文研究了用脉冲激光沉积(PLD)法制备ZnO薄膜,给出了在不同氧压下生长氧化锌(ZnO)薄膜的XRD谱、表面的AFM图以及电阻率、迁移率、载流子浓度以及导电类型等电学特性,为探索制备P型ZnO薄膜提供实验依据。
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