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以薄膜混合集成电路为基础,采用AL2O3精细陶瓷做衬底和国际上较先进的共晶工艺,运用宽带内补偿网络和负反馈并用的设计方法,结合理论计算和仿真技术,实现了高指标C波段宽带低噪声放大器的设计,测试结果验证了设计的正确性,为高性能宽带低噪声放大器研制提供了新的设计依据和理论基础。
高性能宽带低噪声放大器的研制
【摘 要】
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以薄膜混合集成电路为基础,采用AL2O3精细陶瓷做衬底和国际上较先进的共晶工艺,运用宽带内补偿网络和负反馈并用的设计方法,结合理论计算和仿真技术,实现了高指标C波段宽带低
【机 构】
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中国电子科技集团公司第三十八研究所
【出 处】
：
现代电子技术
【发表日期】
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2011年11期
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