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针对化学机械抛光（CMP）过程中,抛光盘、抛光头转速比不同,其晶片的抛光效果不同的现象,从运动学角度详细分析了CMP过程中晶片上任一点的去除速度和运动轨迹,并通过Matlab进行仿真,找出转速比与去除速度和运动轨迹的函数关系。
抛光盘、抛光头转速比对化学机械抛光效果的影响分析
【摘 要】
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针对化学机械抛光（CMP）过程中,抛光盘、抛光头转速比不同,其晶片的抛光效果不同的现象,从运动学角度详细分析了CMP过程中晶片上任一点的去除速度和运动轨迹,并通过Matlab进行仿
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十五研究所
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2011年5期
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