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系统研究了采用热一原子层沉积技术生长的Al2O3对P型晶体硅的表面钝化特性。Al2O3膜层的钝化质量通过采用微波光电导衰减的方法证明Al2O3介质层可提供优异的表面钝化效果。此外，通过采用C—V技术和椭圆偏振光谱测试技术对Al2O3介质层的表征证明，除了薄膜层中的负固定电荷，Al2O3介质层的H的含量在钝化效果中起着关键作用。