垂直结构LEDNi/Sn合金背金层的制备及其性能研究

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采用真空蒸镀法制备了垂直结构LED Ni/Sn合金背金层,通过扫描电子显微镜、X射线衍射对薄膜的物相和微观结构进行了表征,同时还研究了该合金作为LED背金层的光电性能。实验结果表明,在相同的蒸发速率条件下,随着基底温度的升高,沉积的合金颗粒逐渐增大,相应的薄膜的电阻率呈下降趋势。以蒸发速率为2/s、基底温度为100℃作为工艺条件制得背金层薄膜垂直结构LED,其电学性能与贵金属Au作为LED背金层的垂直结构芯片电学性能相当。
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