【摘 要】
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用直流磁控溅射法分别在si(111)基片及陶瓷基片上制备掺有Pt的Sn02薄膜,并进行500℃~700℃退火处理,对掺杂前后的薄膜进行XRD分析,测试各掺杂样品气敏特性。500℃退火后,掺杂样品对
【机 构】
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河北工业大学微电子研究所,河北工业大学信息工程学院
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用直流磁控溅射法分别在si(111)基片及陶瓷基片上制备掺有Pt的Sn02薄膜,并进行500℃~700℃退火处理,对掺杂前后的薄膜进行XRD分析,测试各掺杂样品气敏特性。500℃退火后,掺杂样品对各种有机气体有较高的灵敏度,随着溅射时间的延长,气敏特性提高。700℃退火后,45min溅射的样品对氨气有很高的灵敏度和很好的选择性,最佳工作温度为220℃左右。随着掺杂时间延长,气敏特性降低。
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