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针对星用电荷耦合器件（charge coupled device，CcD）在空间环境中遭受的辐射损伤效应，建立了CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法。从辐射模拟源、试验流程、最劣辐照偏置条件、不同能量质子位移损伤等效、质子和中子位移损伤等效等方面，研究了CCD空间总剂量效应、位移效应和单粒子瞬态效应地面模拟试验方法，为开展CCD空间辐射损伤效应研究和加固性能考核提供了试验技术支持。