【摘 要】
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本文提出了改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURF LDMOS晶体管新结构.用二维器件软件MEDICI对具有线性变化掺杂漂移区的RESURF LDMOS晶体管的性能进行
【机 构】
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北京大学微电子学研究所,绵阳应用电子技术研究所
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本文提出了改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURF LDMOS晶体管新结构.用二维器件软件MEDICI对具有线性变化掺杂漂移区的RESURF LDMOS晶体管的性能进行了数值分析并由实验对其结果进行了验证.结果表明:在相同的漂移区长度下,该新结构较之于优化的常规RESURF LDMOS晶体管,它的击穿电压可由178V提高到234V,增加了1.5倍,而比导通电阻却从7.7mΩ·cm2下降到5mΩ·cm2,减小了30%,显示了很好的击穿电压和导通电阻折中性能.实验结果
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