【摘 要】
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<正> 一、引言本文研究由图1所示的弱光信号探测系统。在0.1～0.9μm波段图1中的光电检测器应采用NEA光电倍增管;而在1～30μm波段则应采用Hg1-xCdxTe半导体合金系统的光电二极管
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<正> 一、引言本文研究由图1所示的弱光信号探测系统。在0.1～0.9μm波段图1中的光电检测器应采用NEA光电倍增管;而在1～30μm波段则应采用Hg1-xCdxTe半导体合金系统的光电二极管或内禀光导器体。图1中所标符号分别为: n（t）-被探测的弱光信号或平均光子计数率,x（t）-光电检测器的输出电流过程,m（t）-处理器电路热噪声在输入端的等效电流源,r（t）=x（t）+w（t）为处理器的输入,（?）（t）-处理器的输出或被探测信号n（t）的估值。其中n（t）和x（t）可表示成
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