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分析了超薄栅氧化层击穿的碰撞电离模型，并对空穴击穿机理进行了详细描述，为超栅氧化层的击穿机理的深入研究及超薄栅氧化层击穿模型的建立奠定了基础。
热生长超薄栅氧化层的空穴击穿机理与碰撞电离模型
【摘 要】
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分析了超薄栅氧化层击穿的碰撞电离模型，并对空穴击穿机理进行了详细描述，为超栅氧化层的击穿机理的深入研究及超薄栅氧化层击穿模型的建立奠定了基础。
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所
【出 处】
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西安电子科技大学学报
【发表日期】
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1998年2期
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