【摘 要】
：
在BaFBr:Eu2+中掺入Si4+合成了一种新的X射线影像板材料,其主要光激励发光(PSL)性能,如射线敏感度和长波可激发性都优于低价阳离子掺杂的BaFBr∶Eu2+.用喇曼和顺磁共振(EPR)
【机 构】
：
天津理工大学材料物理研究所,南开大学物理学院,复旦大学分析测试中心
【基金项目】
：
Tianjin Key Discipline of Physics and Chemistry;
论文部分内容阅读
在BaFBr:Eu2+中掺入Si4+合成了一种新的X射线影像板材料,其主要光激励发光(PSL)性能,如射线敏感度和长波可激发性都优于低价阳离子掺杂的BaFBr∶Eu2+.用喇曼和顺磁共振(EPR)等手段表征了掺Si4+后BaFBr∶Eu2+中电子陷阱的结构,并根据此结构解释了其激发波长的红移量比其它低价阳离子掺杂都高的原因.
其他文献
在不同的氧分压下用电子束热蒸发的方法生长了氧化锆薄膜.通过扫描探针显微镜、分光光度计、X射线衍射、激光损伤阈值(LIDT)测量等,研究了沉积中氧分压对ZrO2薄膜的微结构、
介绍了尼龙粉末材料的激光烧结成型技术研究现状,研制开发了一种适用于激光烧结快速成型的复合尼龙粉末材料(Composite-Nylon Powder-CNP1),并对其主要性能进行了测试;在优化
研究了不同水热(180℃)碱性条件下(糖)醇对Cu2+的还原,通过控制不同水热条件及添加不同种类和质量的(糖)醇,借助XRD和SEM分析,得到了不同的产物及产物形貌.当不加任何(糖)醇
边缘抽运薄片激光器设计使得冷却面和抽运面分开,解决了高功率抽运和抑制放大自发辐射问题,简化了激光器的结构设计.利用边缘抽运六角形1.at-%Nd:YAG薄片获得了5.1 W的输出,
半导体器件越小,单位面积的热生成率越大,温度急剧升高导致器件性能改变,因此必须对器件产生的废热进行有效处理.1981年,Tuckerman和Pease提出了利用强迫对流方法致冷微通道
A novel non metallocene supported catalyst,CpTi(dbm) Cl 2/MgCl 2 was synthesized in situ via reaction between CpTi(dbm)Cl 2 an d BuMgCl in heptane.The surfa
设计了一维金属/介质多层膜系,膜系由几个周期的高折射率(Al2O3)/低折射率(MgF2)材料所组成.在低折射率材料中插入金属层(Al),对膜系进行了优化,利用电子束蒸发方法制备了该
以废玻璃和铸造废砂为主要原料,添加适量发泡剂、助熔剂和稳泡剂等辅助原料,采用粉末烧结法制备了轻质玻璃基复合材料.通过对制品有关性能的检测,确定采用碳酸钠和焦炭作为发
用Von Neumann 熵研究了附加克尔介质的压缩真空场与二能级原子依赖强度耦合相互作用量子体系的量子纠缠特性.讨论了初始压缩真空场的压缩度以及克尔非线性作用的强度对该量
利用粒子碰撞激发理论,计算了一颗穿行在海拔85～100 km高度范围的高层大气层中的狮子座流星的有效温度及其尾迹主要成分的粒子数密度,用光谱合成软件Cloudy模拟了流星尾迹在日