【摘 要】
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AMD 2003年9月18日,AMD研究人员在东京举行的固态设备和材料国际研讨会上,详细介绍了其新型三闸极式晶体管的创新发明,该晶体管采用了下一代绝缘硅(SOI)和高级金属门技术。
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AMD 2003年9月18日,AMD研究人员在东京举行的固态设备和材料国际研讨会上,详细介绍了其新型三闸极式晶体管的创新发明,该晶体管采用了下一代绝缘硅(SOI)和高级金属门技术。这一创新为半导体技术发展指明了一条道路。 AMD表示,这种独特设计使其比目前已发布的任何多门设计在性能上提高
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